“刻蚀”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果49293个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]刻蚀装置、刻蚀系统及刻蚀方法-CN201910655162.1在审
发明人：白靖宇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种刻蚀装置，包括：刻蚀腔体；承载板，其位于刻蚀腔体内，承载板上用于放置晶圆；喷头，其位于所述承载板的上方，所述喷头用于向所述晶圆喷出刻蚀液；多个加热装置，其安装在所述承载板上，且用于给晶圆加热；其中，每个加热装置独立加热以用于改变每个加热装置上方的刻蚀液的刻蚀速率。本申请实施例还公开了一种刻蚀系统和刻蚀方法。
承载板晶圆喷头加热装置刻蚀液刻蚀多个加热装置独立加热刻蚀腔体刻蚀系统刻蚀装置刻蚀腔喷出加热申请体内

[实用新型]刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备-CN202021001856.8有效
发明人：谢毅;周公庆;马志强;王璞 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供了刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备，涉及硅片刻蚀装置技术领域。一种刻蚀滚轮，刻蚀滚轮的作用面具有多个周向设置的凸棱，相邻的两个凸棱之间形成有凹槽，凸棱为弯曲状结构。该刻蚀滚轮的凸棱为弯曲状，该结构使得凸棱在刻蚀过程中具有一定的携带酸液的能力，进而增加刻蚀滚轮的携带酸液的能力，降低对氢氟酸的需求量，从而可以降低酸的使用量，刻蚀效果也更加稳定。同时，弯曲结构能够提高凸棱的形变能力，使得刻蚀滚轮在与硅片等材料作用接触的过程中能够发生形变，可以有效弥补和抵消硅片在抖动、震动过程中的一些位移，进而可以保证刻蚀工序的背面刻蚀效果正常，降低失效片的产生
刻蚀滚轮组件设备

[发明专利]刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法-CN201910342868.2在审
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法。刻蚀液包括双氧水、第一缓冲液、第一螯合剂、调节剂、醇类物质、第一抑制剂以及去离子水。刻蚀组合液包括上述刻蚀液和补给液，其中补给液包括溶解剂、第二缓冲液、第二螯合剂以及第二抑制剂。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀液刻蚀组合补给液缓冲液抑制剂螯合剂刻蚀双氧水醇类物质去离子水显示面板调节剂对基板良品率溶解剂腐蚀

[发明专利]刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法-CN201910336342.3有效
发明人：赵芬利;秦文;张月红 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法。刻蚀液包括双氧水、有机酸、无机酸、调节剂、稳定剂、抑制剂、醇类物质、消泡剂以及去离子水。刻蚀组合液包括上述刻蚀液以及补给液；所述补给液包括溶解剂、第二有机酸、第二稳定剂、第二抑制剂以及第二消泡剂。该方案中刻蚀液不包含氟，避免了对基板的腐蚀，提高了显示面板的良品率。
刻蚀组合以及方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201710019827.0有效
发明人：张学军;张志宇;薛栋林;王孝坤;程强 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G03H1/04 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制作方法，在形成刻蚀膜之前增加一层截止膜，截止膜的刻蚀速率低于刻蚀膜的速率。在对刻蚀膜进行刻蚀时，刻蚀速率快的部分，刻蚀膜首先被刻蚀完成，此时开始刻蚀截止膜；而刻蚀速率较小的部分继续刻蚀刻蚀膜，由于截止膜的刻蚀速率低于刻蚀膜的刻蚀速率，因此，刻蚀膜被刻蚀较快的部分在截止膜部分等待刻蚀较慢的部分到达截止膜当刻蚀较慢的刻蚀膜被刻蚀掉时，结束整个刻蚀加工过程，以形成计算全息图。本发明提供的半导体器件制作方法中将刻蚀膜的刻蚀深度均匀性转化为刻蚀膜的生长均匀性，刻蚀膜的生长均匀性相对于刻蚀膜的刻蚀深度均匀性更容易实现，从而降低了半导体器件的制作工艺对刻蚀设备精度的要求。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种小面积图形刻蚀深度的测量方法-CN201410805198.0有效
发明人：苏瑞巩;缪小虎;李晓伟;时文华;熊敏;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种小面积图形刻蚀深度的测量方法，包括：提供一参考样品，设置多个面积不同的刻蚀参考区并进行刻蚀，测量刻蚀参考区的刻蚀面积与刻蚀速度，建立刻蚀面积与刻蚀速度的模型；提供一刻蚀衬底，设置第一刻蚀图形和第二刻蚀图形；其中，第一刻蚀图形的面积大于第二刻蚀图形的面积；以相同的刻蚀工艺分别在第一刻蚀图形和第二刻蚀图形内刻蚀所述衬底；测量第一刻蚀图形的刻蚀深度并计算第一刻蚀图形的刻蚀速度；根据第一刻蚀图形的刻蚀速度及其面积前述的模型进行校正；根据校正后的刻蚀面积与刻蚀速度的模型计算第二刻蚀图形的刻蚀速度，并进一步计算得到第二刻蚀图形刻蚀深度。
刻蚀刻蚀图形测量面积图形参考区衬底校正参考样品刻蚀工艺模型计算

[发明专利]预测刻蚀开口面积及刻蚀掩膜厚度和刻蚀深度模型的方法-CN202210498782.0在审
发明人：钟浩;盛况;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种预测刻蚀开口面积及刻蚀掩膜厚度和刻蚀深度模型的方法，采用不同掩膜工艺得到不同掩膜厚度；保证刻蚀开口面积相同，采用相同刻蚀工艺刻蚀不同掩膜厚度并量测刻蚀深度；建立刻蚀掩膜厚度和刻蚀深度的模型；采用同一掩膜工艺得到同一掩膜厚度；保证刻蚀掩膜厚度相同，采用相同刻蚀工艺刻蚀掩膜掩蔽之外的不同刻蚀开口面积并量测刻蚀深度；建立刻蚀开口面积比和刻蚀深度的模型；根据刻蚀深度和刻蚀掩膜厚度的关系、刻蚀深度和刻蚀开口面积的关系，建立刻蚀掩膜厚度及刻蚀开口面积和刻蚀深度的模型。本发明用以预测不同刻蚀开口面积和不同刻蚀掩膜厚度所需刻蚀参数，进一步的指导刻蚀工艺。
预测刻蚀开口面积厚度深度模型方法

[发明专利]一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置-CN202210338727.5在审
发明人：刘丹;方亮;黄中浩;刘毅;林鸿涛;吴旭;张淑芳;吴芳 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调节刻蚀液浓度的湿法刻蚀装置；所述湿法刻蚀装置包括刻蚀腔、刻蚀液槽、喷淋装置、刻蚀液管理系统；所述刻蚀腔用于容纳并刻蚀基板，所述刻蚀液槽用于储存刻蚀液，所述喷淋装置用于将刻蚀液槽内的刻蚀液喷入刻蚀腔内，所述刻蚀液槽与刻蚀腔底部连通，所述刻蚀液管理系统用于向刻蚀液中补充原料；所述刻蚀腔上设有主排气管，所述主排气管上设有排气泵；所述刻蚀液槽内设有微波发生器，所述微波发生器用于加热刻蚀液，所述刻蚀液槽上设有附加排气管本发明能够使酸液浓度回升或者保持稳定，保持刻蚀液刻蚀速率稳定，避免刻蚀残留。
一种调节刻蚀浓度湿法装置

[发明专利]刻蚀设备及刻蚀方法-CN202111472553.3有效
发明人：张军;徐惠芬 -专利权人：北京芯愿景软件技术股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种刻蚀设备及刻蚀方法，用于对多个待刻蚀对象进行并行刻蚀，刻蚀设备包括：刻蚀腔室，包括用于对刻蚀对象进行刻蚀的刻蚀空间，刻蚀空间用于容纳多个待刻蚀对象；至少一个移动部件，可移动地设置于刻蚀腔室；控制模块，用于根据待刻蚀对象的所需刻蚀时间控制移动部件移动，以使多个待刻蚀对象依次暴露于刻蚀空间内，可以在一个刻蚀周期内实现多个待刻蚀对象的并行刻蚀，避免进行多次抽真空、换气等辅助工艺，提高了多个待刻蚀对象的刻蚀效率另一方面，也避免了在非刻蚀状态下的待刻蚀对象过早暴露于等离子体，减少了等离子体对待刻蚀对象造成的辐射损伤。
刻蚀设备方法

[发明专利]湿法刻蚀系统及湿法刻蚀方法-CN201710024793.4在审
发明人：薛大鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了湿法刻蚀系统及进行湿法刻蚀的方法。该系统包括刻蚀液储存装置，所述刻蚀液储存单元包括刻蚀液储罐、刻蚀液出口以及刻蚀液回收口，所述刻蚀液出口以及所述刻蚀液回收口设置在所述刻蚀液储罐上；刻蚀装置，所述刻蚀单元分别与所述刻蚀液出口以及所述刻蚀液回收口相连，用于利用所述刻蚀液储罐中的刻蚀液对待刻蚀件进行刻蚀处理；以及金属离子调节装置，所述金属离子调节装置与所述刻蚀液储存装置相连，用于调节所述刻蚀液中的金属离子浓度。该系统可以实现刻蚀液中金属离子浓度的自动调节。
湿法刻蚀系统方法

[发明专利]补充刻蚀方法、半导体刻蚀设备-CN202011315376.3在审
发明人：林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种补充刻蚀方法、半导体刻蚀设备，该方法包括：获取当前的实际刻蚀深度，判断实际刻蚀深度是否达到目标刻蚀深度；若实际刻蚀深度未达到目标刻蚀深度，基于实际刻蚀深度、目标刻蚀深度、常规刻蚀的刻蚀深度、常规刻蚀的循环执行次数、常规刻蚀各工艺参数的初始值和最终值，计算补充刻蚀的循环执行次数和每次循环中各工艺参数的数值；基于计算得到的补充刻蚀的循环执行次数和每次循环中工艺参数的数值，执行补充刻蚀。通过本申请提供的技术方案，在常规刻蚀的刻蚀深度没有达到目标刻蚀深度时，可以自动计算出补充刻蚀所需的工艺参数的数值，并基于补充刻蚀所需的工艺参数的数值进行补充刻蚀以达到目标刻蚀深度。
补充刻蚀方法半导体设备

[发明专利]通过光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的系统及方法-CN201510591324.1有效
发明人：张志利;张宝顺;蔡勇;潘革波;于国浩;付凯;孙世闯;宋亮;秦双娇 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种光辅助刻蚀自停止实现凹栅增强型HEMT器件的方法，包括：提供刻蚀样品；在刻蚀样品表面设置图形化掩膜，从而暴露出刻蚀表面；将所述刻蚀样品的刻蚀表面直接暴露在刻蚀溶液中，并以刻蚀光线至少照射所述刻蚀表面，从而使所述刻蚀溶液于刻蚀表面处刻蚀所述刻蚀样品，同时形成能够在所述刻蚀溶液中稳定存在的刻蚀产物，而且当在所述刻蚀样品上刻蚀出对应于所需凹栅结构的凹槽结构时，所生成的刻蚀产物足以将所述刻蚀表面钝化而导致刻蚀自停止本发明可有效地实现增强型HEMT，并且具有工艺简便，刻蚀自停止，重复性高，刻蚀损伤小，设备简单，成本低廉，易于进行大规模生产等特点。
通过辅助刻蚀停止实现增强 hemt 器件系统方法

[发明专利]刻蚀加工方法和装置、半导体器件-CN202310190899.7有效
发明人：龙虎;盛况;吴九鹏;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本公开涉及刻蚀加工方法和装置、半导体器件。该刻蚀加工方法包括：形成覆盖待刻蚀区的第一掩膜层，第一掩膜层沿平行于待刻蚀区的第一方向的各处具有不同的等效刻蚀厚度；及通过第一掩膜层对待刻蚀区进行刻蚀，并对第一掩膜层进行刻蚀，刻蚀步骤包括：通过连续调节刻蚀参数以连续调整第一掩膜层与待刻蚀区的刻蚀选择比，刻蚀参数包括第一刻蚀气体与第二刻蚀气体的浓度比，第一刻蚀气体用于刻蚀第一掩膜层，第二刻蚀气体用于刻蚀待刻蚀区。该刻蚀加工方法可以实现准确形貌的刻蚀加工表面。
刻蚀加工方法装置半导体器件

[发明专利]组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法-CN202111203335.X在审
发明人：吴祥;李卫民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明的组合型刻蚀液、刻蚀系统及刻蚀方法，可应用于半导体制造中湿法刻蚀非导电性薄膜，其中组合型刻蚀液包括第一刻蚀液及第二刻蚀液，第一刻蚀液用于刻蚀非导电性薄膜，第二刻蚀液含有能够去除第一刻蚀液与非导电性薄膜刻蚀的反应产物的组分，或存在第三刻蚀液，含有用于去除其他的第一刻蚀液刻蚀产物的组分，以实现第一刻蚀液的使用寿命的延长。以刻蚀氮化硅用组合型刻蚀液为例，第一刻蚀液含有磷酸，第二刻蚀液含有含氟化合物；结合刻蚀设备，调整混合反应腔内刻蚀液温度与含水量，含氟化合物通过与磷酸刻蚀产物硅化合物的反应可生成特定的可去除的氟硅化合物，从而可延长第一刻蚀液的使用寿命，减少换酸操作和提高生产效率。
组合刻蚀系统方法

[发明专利]刻蚀方法和刻蚀系统-CN200910197444.8无效
发明人：李建凤 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种刻蚀方法，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层，所述待刻蚀层上形成有掩膜层，所述掩膜层已经被图形化，所述待刻蚀层为透光材料；提供所述待刻蚀层的厚度阈值；设定初始刻蚀参数；采用所述初始刻蚀参数对所述待刻蚀层进行刻蚀，同时采用光干涉法检测待刻蚀层的剩余厚度；判断所述待刻蚀层的剩余厚度是否落入所述厚度阈值范围，若否，则继续采用所述初始刻蚀参数的刻蚀，若是，停止采用所述初始刻蚀参数进行刻蚀。本发明还提供一种刻蚀系统。本发明可以实时检测刻蚀过程，反映真实的刻蚀程度，调整刻蚀参数进而达到理想的刻蚀效果。
刻蚀方法系统

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 49293 条